996热re视频精品视频这里_国内无码av不卡一区二区_亚洲国产精品无码久久一线_久久国产一区视频

歡迎光臨南京飛騰新材料科技有限公司!
服務(wù)熱線

行業(yè)新聞

小米、華為、比亞迪齊刷刷入股陶瓷企業(yè),盯上

近日,企查查APP顯示,浙江德匯電子陶瓷有限公司發(fā)生工商變更,新增北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)等為股東。注冊(cè)資本由約5021.58萬人民幣增至約7476.57萬人民幣。
 
幾乎同一時(shí)間,華為旗下深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)(有限合伙)入股南京中江新材料科技有限公司,后者注冊(cè)資本由3000萬人民幣增至3529.41萬人民幣,哈勃將持有中江科易15%股權(quán)。
 
早在今年2月,比亞迪、江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司等同時(shí)入股廈門鉅瓷科技有限公司。

小米、華為、比亞迪入股的3家企業(yè)有何來歷?

公開資料顯示,德匯陶瓷成立于2013年,是一家專注于功率器件用陶瓷封裝基板研制的高新技術(shù)企業(yè)。在技術(shù)領(lǐng)域,德匯陶瓷有著深厚的積累,已擁有多項(xiàng)核心技術(shù),如陶瓷基板、線路板、金屬層、陶瓷基座、焊料層等。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于IGBT模塊、5G射頻器件、光通訊器件、高功率LED、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體制冷器等領(lǐng)域。2022年4月紹興德匯陶瓷已經(jīng)建成年產(chǎn)144萬片功率半導(dǎo)體模塊用高性能陶瓷覆銅板項(xiàng)目。公司逐步建造高性能陶瓷金屬化及其電子元器件的生產(chǎn)基地,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。目前,德匯陶瓷已實(shí)現(xiàn)AMB陶瓷封裝基板量產(chǎn)化出貨,其AMB-Si3N4已向國(guó)內(nèi)主要頭部功率模塊企業(yè)批量出貨;AMB-AlN已在軌道交通領(lǐng)域進(jìn)行了驗(yàn)證,有望實(shí)現(xiàn)對(duì)同類進(jìn)口產(chǎn)品的替代。
 
中江新材成立于2012年8月,是一家研發(fā)、生產(chǎn)氧化鋁和氮化鋁覆銅陶瓷基板企業(yè)。經(jīng)營(yíng)范圍含陶瓷材料研發(fā),陶瓷制品、光電子器件、其他電子元器件及配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等。
 
鉅瓷科技成立于2016年12月27日,是一家致力于高品級(jí)氮化鋁粉體及陶瓷制品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型高科技企業(yè),其主要產(chǎn)品有高純氮化鋁粉體、氮化鋁造粒粉、氮化鋁填料粉以及注射成形復(fù)雜精密氮化鋁陶瓷制品四大系列。

三大咖意欲何為?

依據(jù)德匯陶瓷、中江新材、鉅瓷科技三家企業(yè)的公開資料,我們可以提取出一些主要的關(guān)鍵詞:
 
氮化鋁、氮化硅、陶瓷基板。
 
再看小米、華為、比亞迪的身份,小米與華為是通訊行業(yè)的大佬,同時(shí)小米造車正在全力沖刺,與比亞迪又同屬新能源汽車陣營(yíng)。
 
氮化鋁、氮化硅是目前最受關(guān)注的陶瓷基板原材料,陶瓷基板又是新一代通訊、新能源汽車電子器件最受矚目的封裝材料。如此看來,小米、華為、比亞迪可能就是奔著“陶瓷基板”來的。

 

陶瓷基板——高密度集成散熱首選

 

在新能源及新一代通訊行業(yè),隨著微電子信息技術(shù)、大規(guī)模集成電路(LSI)、多芯片組件(MCM)和微機(jī)電系統(tǒng)(MENS)等技術(shù)的迅速發(fā)展,對(duì)電子整機(jī)的要求越來越高,這種要求越來越迫切,促使它們朝著微型化、便攜式、高性能等方向發(fā)展。高密度集成是實(shí)現(xiàn)上述功能的最有效解決方案,高密度集成可以將各種電子設(shè)備復(fù)雜的功能集成到更小的組件中,而實(shí)現(xiàn)高密度集成的關(guān)鍵是解決元器件的散熱問題。對(duì)于電子器件而言,通常溫度每升高10°C,器件有效壽命就降低30%~50%。因此,選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展功率器件的技術(shù)瓶頸。
以大功率LED封裝為例,由于輸入功率的70%~80%轉(zhuǎn)變成為熱量(只有約20%~30%轉(zhuǎn)化為光能),且LED芯片面積小,器件功率密度很大(大于100W/cm2),因此散熱成為大功率LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。如果不能及時(shí)將芯片發(fā)熱導(dǎo)出并消散,大量熱量將聚集在LED內(nèi)部,芯片結(jié)溫將逐步升高,一方面使LED性能降低(如發(fā)光效率降低、波長(zhǎng)紅移),另一方面將在LED器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力,引發(fā)一系列可靠性問題(如使用壽命、色溫變化等)。
 
伴隨著功率器件(包括LED、LD、IGBT、CPV等)不斷發(fā)展,采用高導(dǎo)熱材料制作電路基板是實(shí)現(xiàn)微電路散熱的有效方法之一。
 
目前常用電子封裝基板主要可分為高分子基板、金屬基板(金屬核線路板,MCPCB)和陶瓷基板幾類。對(duì)于功率器件封裝而言,封裝基板除具備基本的布線(電互連)功能外,還要求具有較高的導(dǎo)熱、耐熱、絕緣、強(qiáng)度與熱匹配性能。因此,高分子基板和金屬基板使用受到很大限制;而陶瓷材料本身具有熱導(dǎo)率高、耐熱性好、高絕緣、高強(qiáng)度、與芯片材料熱匹配等性能,非常適合作為功率器件封裝基板,目前已在半導(dǎo)體照明、激光與光通信、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

 

氮化鋁、氮化硅陶瓷基板及其在新能源汽車中的應(yīng)用

 

目前陶瓷基板的主要材料以氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)三類為主。氧化鋁陶瓷基板價(jià)格低廉,生產(chǎn)工藝成熟,目前產(chǎn)量最大,應(yīng)用面最廣。但是,氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性能已無法滿足大功率芯片的散熱要求。綜合來看,氮化鋁陶瓷基板與氮化硅陶瓷基板最具發(fā)展前景。

 

氮化鋁基板
 
氮化鋁陶瓷的各項(xiàng)性能優(yōu)異,尤其是高熱導(dǎo)率的特點(diǎn),其理論熱導(dǎo)率可達(dá)320W/(m·K),其商用產(chǎn)品熱導(dǎo)率一般為180W/(m·K)~260W/(m·K),使其能夠用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料。
此外,氮化鋁陶瓷還具較高的機(jī)械強(qiáng)度及化學(xué)穩(wěn)定性,能夠在較惡劣的環(huán)境下保持正常的工作狀態(tài)。正是因?yàn)榈X陶瓷具有諸多的優(yōu)良性能,氮化鋁陶瓷會(huì)在眾多陶瓷基板材料中脫穎而出,成為新一代先進(jìn)陶瓷封裝材料的代表產(chǎn)品。
 
汽車LED大燈的工作溫度是極其高的,功率越大,溫度越高,亮度功率是形成正比的,想要提高亮度只能通過精細(xì)的冷卻設(shè)計(jì)或者散熱器件的加大,但是效果并不理想,能夠使其達(dá)到理想效果的只有氮化鋁陶瓷基板。高導(dǎo)熱率和優(yōu)良的絕緣性,與燈珠更匹配的熱膨脹技術(shù)等優(yōu)點(diǎn),讓氮化鋁陶瓷基板再次“脫穎而出”。
 
氮化硅基板
 
氮化硅被認(rèn)為是綜合性能最好的陶瓷基板材料,雖熱導(dǎo)率不如氮化鋁,但其抗彎強(qiáng)度、斷裂韌性都可達(dá)到氮化鋁的2倍以上。同時(shí),氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體碳化硅相近,使得其成為碳化硅導(dǎo)熱基板材料的首選。氮化硅基板在新能源汽車中的應(yīng)用不可阻擋!
(1)IGBT
 
新能源車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,最核心的元件就是IGBT。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,IGBT的質(zhì)量很大一部分也決定了整車的能源效率。
 
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,電動(dòng)汽車用IGBT模塊的功率導(dǎo)電端子需要承載數(shù)百安培的大電流,對(duì)電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率有較高的要求,車載環(huán)境中還要承受一定的振動(dòng)和沖擊力,機(jī)械強(qiáng)度要求高。近年來,Si3N4陶瓷基板以其硬度高、機(jī)械強(qiáng)度高、耐高溫和熱穩(wěn)定性好、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、耐磨損、耐腐蝕等優(yōu)異的性能,在IGBT模塊封裝中得到青睞,并逐步替代Al2O3和AlN陶瓷基板。
 
(2)SiC MOSFET
 
隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需要的不斷延伸,第一、二代半導(dǎo)體的局限性逐漸體現(xiàn)出來,難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、載流子飽和漂移速度大等特點(diǎn),其制作的電子器件可在300℃甚至更高溫度下穩(wěn)定工作。
 
在新能源汽車的核心電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,采用SiC MOSFET器件比傳統(tǒng)Si IGBT帶來5%~10%續(xù)航提升,未來將會(huì)逐步取代Si IGBT。但SiC MOSFET芯片面積小,對(duì)散熱要求高,氮化硅陶瓷基板具備優(yōu)異的散熱能力和高可靠性,幾乎成為SiC MOSFET在新能源汽車領(lǐng)域主驅(qū)應(yīng)用的必選項(xiàng)。
 
目前已經(jīng)量產(chǎn)的Tesla model 3已經(jīng)大批量使用氮化硅陶瓷基板,應(yīng)對(duì)SiC MOSFET器件散熱。比亞迪e3.0平臺(tái)推出的全新一代SiC電控,采用了自主研發(fā)的全新SiC MOSFET電機(jī)控制模塊、高性能氮化硅陶瓷以及集成NTC傳感器,使整個(gè)電控單元功率密度提升近30%,電流最大支持840A,電壓最大1200V,電控最高效率達(dá)99.7%。

 

AMB陶瓷基板將成為中高端功率模塊散熱的主流工藝

 

陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。
 
AMB陶瓷基板是DBC工藝的進(jìn)一步發(fā)展,該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接,其鍵合強(qiáng)度高、可靠性好。
AMB工藝生產(chǎn)的陶瓷基板主要運(yùn)用在功率半導(dǎo)體模塊上作為硅基、碳化基功率芯片的基底,AMB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁和氮化硅陶瓷與銅片的覆接,相比DBC襯板有更優(yōu)的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合力、可靠性等,可大幅提高陶瓷襯板可靠性,更適合大功率大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,逐步成為中高端IGBT模塊散熱電路板的主要應(yīng)用類型。
 
此外,由于AMB氮化硅基板有較高熱導(dǎo)率,可將非常厚的銅金屬(厚度可達(dá)0.8mm)焊接到相對(duì)薄的氮化硅陶瓷上,載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定,因此成為SiC半導(dǎo)體導(dǎo)熱基板材料首選,特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)用中不可或缺。
 
根據(jù)QY Research報(bào)告,2021年AMB陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模約為0.9億美元,預(yù)計(jì)2028年增長(zhǎng)到3.8億美元,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)22.7%。主要供應(yīng)商包括美國(guó)Rogers、德國(guó)Heraeus、日本電化株式會(huì)社(Denka)、日本同和(DOWA)。

 

小結(jié)

小米、華為、比亞迪直接入股陶瓷基板企業(yè)或是陶瓷粉體企業(yè)來看,他們很可能正在加快各自供應(yīng)鏈的完善腳步,這也從側(cè)面證實(shí)了陶瓷基板正是這些通訊、新能源汽車等領(lǐng)域的大哥們都極其重視的關(guān)鍵部件。

 

新聞動(dòng)態(tài)

聯(lián)系我們

南京飛騰新材料科技有限公司

手機(jī):15195762519

電話:025-58771286

郵箱:njfeitengchem@163.com

地址: 江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路281號(hào)2108室

用手機(jī)掃描二維碼關(guān)閉
二維碼